Qspeed H-Series Diodes

H-Series、タンデム、及び超高速ダイオードの Qrr の比較

データ シート

ECAD Models


Qspeed H-Series Diodes ECAD Models

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製品詳細

Qspeed™ ダイオードは、シリコン ダイオード��中で最も低い QRR 値を持っています。このリカバリー特性により、効率を向上させるとともに、EMI を軽減し、スナバを不要にしています。

製品ハイライト

主な内容

  • Now available in TO-263 (D2PAK) package
  • 低 QRR、低 IRRM、低 tRR
  • 高 dIF/dt 対応 (1000A/µs)
  • スムーズな リカバリー特性

利点

  • 効率の向上
    • スナバ回路が不要
    • EMI フィルタ部品のサイズ及びその点数を軽減
  • 極めて高速なスイッチング特性を実現

用途

  • 力率改善 (PFC) ブースト ダイオード
  • モーター ドライブ回路
  • DC-AC インバーター

 

関連情報

PowerEsim 上で Qspeed ダイオードのシミュレーション

Power Integrations では、 PowerEsim と提携し、高速、高精度で Qspeed 製品の優れた性能のシミュレーションを実現しています。以下の PowerEsim ロゴをクリックして、リンク先をご覧ください。

PowerEsim_90_90.gif

 

技術情報記事

Have Silicon Carbide Schottky Diodes made Silicon Rectifiers Obsolete?

用途

部品選択テーブル

部品選択テーブル

データシートVRRM
MAX
IF<AVG>
TJ
=150°1
VF<TYP>
TJ
=150°
QRR
TJ
=25°
QRR
TJ
=125°
QH03TZ6002 600 V 3 A 2.1 V 5.8 nC 14.8 nC
QH03BZ600 600 V 3 A 2.1 V 5.8 nC 14.8 nC
QH05TZ600 600 V 5 A 2.2 V 6.5 nC 18.9 nC
QH05BZ600 600 V 5 A 2.2 V 6.5 nC 18.9 nC
QH08TZ600 600 V 8 A 2.2 V 8.0 nC 25.5 nC
QH08BZ600 600 V 8 A 2.2 V 8.0 nC 25.5 nC
QH12TZ600 600 V 12 A 2.3 V 9.2 nC 30 nC
QH12BZ600 600 V 12 A 2.3 V 9.2 nC 30 nC

注:
1. 温度の単位は摂氏(℃)。
2. All parts are available in the TO-220 and TO-263 (D2PAK) package types.

製品ドキュメント

製品イメージ